Одноперехідний транзистор

Одноперехідний транзистор або двобазовий діод – це напівпровідниковий прилад з одним p-n- переходом. Його схематична конструкція і ВАХ наведені на рис. 1.

Рисунок 1. Одноперехідний транзистор: а) конструкція; б) вхідна ВАХ

Шар p-типу має назву емітера, а зони монокристалу по обидва боки емітера, що мають електронну провідність, називаються базами. Зазвичай, довжина нижньої бази Б2 набагато менша, ніж довжина верхньої бази Б1. Якщо до контактів базових зон підімкнути зовнішню напругу із зазначеною на рис. 1 полярністю, то через обидві бази протікатиме невеликий струм – так званий струм зміщення.

Оскільки ділянка між базовими електродами має лінійний опір, то спад напруги на базових зонах пропорційний їх довжині. Напруга на емітерному переході зумовлюється різницею потенціалів емітера та базової зони Б2. Якщо потенціал емітера не перевищує потенціалу бази Б2, то емітерний перехід зміщений у зворотному напрямку і через нього протікає невеликий зворотний струм. При зміщенні емітерного переходу у прямому напрямку емітер ний струм зростає, і при певному його значенні ІЕ0 починається лавиноподібне зменшення опору бази Б2 за рахунок проникнення носіїв заряду через p-n-перехід. Наслідком цього ж зниження напруги емітера за одночасного зростання емітерного струму – ділянка негативного опору на вхідній ВАХ (тут негативним змінам напруги відповідають позитивні зміни струму). При змінах зовнішньої напруги UББ ВАХ зсувається, не змінюючи форми, як показано на рис. 1, б.

Наявність ділянки з негативним опором дозволяє використовувати одно перехідний транзистор у електронних ключах, генераторах, релейних схемах та ін.